用于FinFET器件的方法和结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510216889.1

申请日：

2015-04-30

公开(公告)号：

CN106206577A

公开(公告)日：

2016-12-07

发明(设计)人：

刘致为杜文仙黄仕贤彭成毅张智胜杨育佳

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-23	授权	授权
2016-12-07	公开	公开
2017-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101695172986 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2015102168891 申请日:20150430

共 50 条

[1]

用于FinFET器件的方法和结构 [P].

蔡劲 .

中国专利 :CN108987344A ,2018-12-11

[2]

用于FinFET器件的结构和方法 [P].

尤志豪 ;

余绍铭 .

中国专利 :CN105280558A ,2016-01-27

[3]

用于FinFET器件的结构和方法 [P].

李宜静 ;

吴政宪 ;

柯志欣 ;

蔡邦彦 ;

李资良 .

中国专利 :CN105374874B ,2016-03-02

[4]

FinFET器件的结构和形成方法 [P].

江国诚 .

中国专利 :CN106206676A ,2016-12-07

[5]

FinFET器件的结构和形成方法 [P].

赖盈桦 ;

张家铭 ;

江宗育 ;

陈光鑫 .

中国专利 :CN105097807B ,2015-11-25

[6]

用于具有掩埋SiGe氧化物的FinFET器件的结构和方法 [P].

江国诚 ;

王志豪 ;

吴志强 ;

卡洛斯·H.·迪亚兹 .

中国专利 :CN104681615A ,2015-06-03

[7]

用于FinFET器件的方法和结构 [P].

卢永晏 ;

宋家玮 ;

陈豪育 .

中国专利 :CN106206438A ,2016-12-07

[8]

用于FINFET器件的结构和方法 [P].

江国诚 ;

冯家馨 ;

张智胜 ;

吴志强 .

中国专利 :CN105047710B ,2015-11-11

[9]

用于FINFET器件的结构和方法 [P].

江国诚 ;

冯家馨 ;

吴志强 .

中国专利 :CN105047711A ,2015-11-11

[10]

用于FinFET器件的掩埋金属和方法 [P].

周雷峻 ;

陈志良 ;

曾健庭 ;

赖志明 ;

刘如淦 ;

杨超源 .

中国专利 :CN110021522A ,2019-07-16

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