用于FinFET器件的方法和结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510397128.0

申请日：

2015-07-08

公开(公告)号：

CN106206438A

公开(公告)日：

2016-12-07

发明(设计)人：

卢永晏宋家玮陈豪育

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-07	公开	公开
2017-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101695161002 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2015103971280 申请日:20150708
2019-05-21	授权	授权

共 50 条

[1]

用于FinFET器件的方法和结构 [P].

刘致为 ;

杜文仙 ;

黄仕贤 ;

彭成毅 ;

张智胜 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN106206577A ,2016-12-07

[2]

用于FinFET器件的方法和结构 [P].

蔡劲 .

中国专利 :CN108987344A ,2018-12-11

[3]

用于FinFET器件的方法 [P].

蔡俊雄 ;

游国丰 .

中国专利 :CN105097546A ,2015-11-25

[4]

用于FinFET器件的结构和方法 [P].

尤志豪 ;

余绍铭 .

中国专利 :CN105280558A ,2016-01-27

[5]

用于FinFET器件的结构和方法 [P].

李宜静 ;

吴政宪 ;

柯志欣 ;

蔡邦彦 ;

李资良 .

中国专利 :CN105374874B ,2016-03-02

[6]

FinFET器件的结构和方法 [P].

江国诚 ;

冯家馨 ;

张智胜 ;

吴志强 .

中国专利 :CN105023844A ,2015-11-04

[7]

FinFET器件的结构和形成方法 [P].

江国诚 .

中国专利 :CN106206676A ,2016-12-07

[8]

FinFET器件的结构和形成方法 [P].

赖盈桦 ;

张家铭 ;

江宗育 ;

陈光鑫 .

中国专利 :CN105097807B ,2015-11-25

[9]

用于FinFET器件的掩埋金属和方法 [P].

周雷峻 ;

陈志良 ;

曾健庭 ;

赖志明 ;

刘如淦 ;

杨超源 .

中国专利 :CN110021522A ,2019-07-16

[10]

FinFET器件和方法 [P].

胡嘉欣 ;

张胜杰 .

中国专利 :CN104766886A ,2015-07-08

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