用于具有掩埋SiGe氧化物的FinFET器件的结构和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410692918.7

申请日：

2014-11-26

公开(公告)号：

CN104681615A

公开(公告)日：

2015-06-03

发明(设计)人：

江国诚王志豪吴志强卡洛斯·H.·迪亚兹

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2906

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-29	授权	授权
2015-06-03	公开	公开
2015-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101615762612 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014106929187 申请日:20141126

共 50 条

[1]

用于FinFET器件的掩埋金属和方法 [P].

周雷峻 ;

陈志良 ;

曾健庭 ;

赖志明 ;

刘如淦 ;

杨超源 .

中国专利 :CN110021522A ,2019-07-16

[2]

用于FinFET器件的方法和结构 [P].

刘致为 ;

杜文仙 ;

黄仕贤 ;

彭成毅 ;

张智胜 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN106206577A ,2016-12-07

[3]

用于FINFET器件的结构和方法 [P].

江国诚 ;

冯家馨 ;

吴志强 .

中国专利 :CN105047711A ,2015-11-11

[4]

具有栅极氧化物层的FINFET器件 [P].

李东颖 ;

黄玉莲 ;

张毅敏 .

中国专利 :CN105280706B ,2016-01-27

[5]

用于FinFET器件的结构和方法 [P].

尤志豪 ;

余绍铭 .

中国专利 :CN105280558A ,2016-01-27

[6]

用于FinFET器件的方法和结构 [P].

蔡劲 .

中国专利 :CN108987344A ,2018-12-11

[7]

用于FinFET器件的结构和方法 [P].

李宜静 ;

吴政宪 ;

柯志欣 ;

蔡邦彦 ;

李资良 .

中国专利 :CN105374874B ,2016-03-02

[8]

用于FINFET器件的结构和方法 [P].

江国诚 ;

冯家馨 ;

张智胜 ;

吴志强 .

中国专利 :CN105047710B ,2015-11-11

[9]

形成氧化物层的方法和含该氧化物层的半导体器件的制法 [P].

郑淑真 ;

李钟喆 ;

金润洙 ;

柳次英 ;

姜相列 .

中国专利 :CN102760661B ,2012-10-31

[10]

形成有掩埋氧化物图形的半导体器件的方法及其相关器件 [P].

孙龙勋 ;

崔诗荣 ;

李炳讃 ;

李钟昱 ;

丁仁洙 ;

李德炯 .

中国专利 :CN1681103B ,2005-10-12

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