多高度FinFET器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210290652.4

申请日：

2012-08-15

公开(公告)号：

CN103594344A

公开(公告)日：

2014-02-19

发明(设计)人：

鲍宇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-19	公开	公开
2014-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101580141796 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2012102906524 申请日:20120815
2017-11-24	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/28 申请公布日:20140219

共 50 条

[1]

制造FinFET器件的方法 [P].

巫凯雄 ;

曾博瑞 ;

简珮珊 ;

曾伟雄 .

中国专利 :CN103681347B ,2014-03-26

[2]

制造FinFET器件的方法 [P].

王志豪 ;

蔡庆威 ;

王景祺 .

中国专利 :CN104733321B ,2015-06-24

[3]

制造FINFET器件的方法 [P].

谢彦莹 ;

吴集锡 ;

丁国强 ;

陈光鑫 .

中国专利 :CN103474397A ,2013-12-25

[4]

具有共面形貌的多高度FINFET [P].

程慷果 ;

B·B·多里斯 ;

P·哈希米 ;

A·卡基菲鲁兹 ;

A·雷茨尼采克 .

中国专利 :CN104218086B ,2014-12-17

[5]

一种FinFET器件的制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107564817B ,2018-01-09

[6]

FinFET器件及其制造方法 [P].

江国诚 ;

黄俊嘉 ;

王昭雄 ;

刘继文 .

中国专利 :CN103928518A ,2014-07-16

[7]

FinFET器件的制造方法 [P].

黄敬勇 ;

王彦 ;

肖芳元 .

中国专利 :CN107706110B ,2018-02-16

[8]

一种FinFET器件及其制造方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN104779284B ,2015-07-15

[9]

一种FinFET器件及其制造方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN104681607A ,2015-06-03

[10]

一种FinFET器件的制造方法 [P].

林艺辉 ;

宋伟基 ;

张琴 .

中国专利 :CN104979209A ,2015-10-14

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