包括FinFET的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510298932.3

申请日：

2015-06-03

公开(公告)号：

CN106206730B

公开(公告)日：

2016-12-07

发明(设计)人：

黄俊程徐梓翔许加融杨丰诚蔡腾群

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L27088 H01L21336

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-07	公开	公开
2017-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101695163635 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015102989323 申请日:20150603
2020-01-14	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

罗鸿 ;

许加融 ;

蔡腾群 ;

徐梓翔 ;

杨丰诚 ;

陈盈和 .

中国专利 :CN106847813A ,2017-06-13

[2]

用于制造FinFET和半导体器件的方法及半导体器件 [P].

张哲诚 ;

林志翰 ;

曾鸿辉 .

中国专利 :CN107068754A ,2017-08-18

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨育佳 ;

江宏礼 ;

许志成 ;

王菘豊 ;

陈奕升 ;

徐志安 .

中国专利 :CN121078762A ,2025-12-05

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

梁擎擎 ;

朱慧珑 ;

钟汇才 .

中国专利 :CN102881694A ,2013-01-16

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

P·阿加瓦尔 ;

J·W·斯罗特布姆 ;

G·多恩博斯 .

中国专利 :CN1957461A ,2007-05-02

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

平田宏治 ;

田上知纪 ;

增田宏 ;

内山博幸 ;

望月和浩 .

中国专利 :CN1091952C ,1998-05-13

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨育佳 ;

江宏礼 ;

许志成 ;

王菘豊 ;

陈奕升 ;

徐志安 .

中国专利 :CN108122979A ,2018-06-05

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨育佳 ;

江宏礼 ;

许志成 ;

王菘豊 ;

陈奕升 ;

徐志安 .

中国专利 :CN114664936B ,2025-09-02

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨育佳 ;

江宏礼 ;

许志成 ;

王菘豊 ;

陈奕升 ;

徐志安 .

中国专利 :CN114664936A ,2022-06-24

[10]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

李承翰 .

中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30

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