半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610809101.2

申请日：

2016-09-08

公开(公告)号：

CN106847813A

公开(公告)日：

2017-06-13

发明(设计)人：

罗鸿许加融蔡腾群徐梓翔杨丰诚陈盈和

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L218238 H01L2978

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 27/092 申请公布日:20170613
2017-06-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨育佳 ;

江宏礼 ;

许志成 ;

王菘豊 ;

陈奕升 ;

徐志安 .

中国专利 :CN121078762A ,2025-12-05

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

P·阿加瓦尔 ;

J·W·斯罗特布姆 ;

G·多恩博斯 .

中国专利 :CN1957461A ,2007-05-02

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

平田宏治 ;

田上知纪 ;

增田宏 ;

内山博幸 ;

望月和浩 .

中国专利 :CN1091952C ,1998-05-13

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨育佳 ;

江宏礼 ;

许志成 ;

王菘豊 ;

陈奕升 ;

徐志安 .

中国专利 :CN108122979A ,2018-06-05

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨育佳 ;

江宏礼 ;

许志成 ;

王菘豊 ;

陈奕升 ;

徐志安 .

中国专利 :CN114664936B ,2025-09-02

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨育佳 ;

江宏礼 ;

许志成 ;

王菘豊 ;

陈奕升 ;

徐志安 .

中国专利 :CN114664936A ,2022-06-24

[7]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

李承翰 .

中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30

[8]

包括FinFET的半导体器件及其制造方法 [P].

黄俊程 ;

徐梓翔 ;

许加融 ;

杨丰诚 ;

蔡腾群 .

中国专利 :CN106206730B ,2016-12-07

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

入泽寿史 ;

沼田敏典 ;

高木信一 ;

杉山直治 .

中国专利 :CN100517759C ,2007-08-22

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN101996997B ,2011-03-30

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