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半导体结构、半导体器件及其制造方法
被引:0
申请号
:
CN202210623858.8
申请日
:
2022-06-02
公开(公告)号
:
CN115132661A
公开(公告)日
:
2022-09-30
发明(设计)人
:
沙哈吉·B·摩尔
李承翰
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹
IPC主分类号
:
H01L218238
IPC分类号
:
H01L27092
代理机构
:
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人
:
章社杲;李伟
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-09-30
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体器件、半导体结构及其制备方法
[P].
白杰
论文数:
0
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0
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0
白杰
.
中国专利
:CN112885780A
,2021-06-01
[2]
半导体结构、半导体器件及其制造方法
[P].
刘志拯
论文数:
0
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0
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0
机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
刘志拯
.
中国专利
:CN120224682A
,2025-06-27
[3]
半导体器件制备方法
[P].
黄秋铭
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0
黄秋铭
.
中国专利
:CN107068764B
,2017-08-18
[4]
半导体器件及其制造方法
[P].
张严波
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张严波
;
殷华湘
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殷华湘
;
朱慧珑
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朱慧珑
.
中国专利
:CN105742352A
,2016-07-06
[5]
半导体器件及其制造方法
[P].
T·W·戴尔
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T·W·戴尔
;
方隼飞
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方隼飞
;
J·R·霍尔特
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J·R·霍尔特
.
中国专利
:CN101086991A
,2007-12-12
[6]
半导体器件及其制造方法
[P].
朱慧珑
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朱慧珑
;
尹海洲
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尹海洲
;
骆志炯
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骆志炯
;
梁擎擎
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梁擎擎
.
中国专利
:CN102117828A
,2011-07-06
[7]
半导体器件及其形成方法、半导体结构
[P].
高金凤
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高金凤
;
钱蔚宏
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钱蔚宏
;
王西宁
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王西宁
;
程仁豪
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程仁豪
.
中国专利
:CN110610924B
,2019-12-24
[8]
半导体器件制造方法及其半导体器件
[P].
杉井信之
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杉井信之
;
中川清和
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中川清和
;
山口伸也
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山口伸也
;
宫尾正信
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宫尾正信
.
中国专利
:CN1716570A
,2006-01-04
[9]
半导体结构及半导体器件
[P].
白杰
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白杰
.
中国专利
:CN210926017U
,2020-07-03
[10]
半导体结构及其制造方法与半导体器件
[P].
周源
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周源
;
张小麟
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张小麟
;
李静怡
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李静怡
;
王超
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王超
;
张志文
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张志文
;
朱林迪
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朱林迪
;
牛玉玮
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牛玉玮
;
郭艳华
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郭艳华
.
中国专利
:CN109830527A
,2019-05-31
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