半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710104830.9

申请日：

2007-05-21

公开(公告)号：

CN101086991A

公开(公告)日：

2007-12-12

发明(设计)人：

T·W·戴尔方隼飞 J·R·霍尔特

申请人：

申请人地址：

美国纽约阿芒克

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L2712 H01L218238 H01L2184

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

王茂华

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-12-12	公开	公开
2008-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

李承翰 .

中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 .

中国专利 :CN103985756A ,2014-08-13

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

荒井雅利 ;

濑川瑞树 ;

薮俊树 .

中国专利 :CN100426525C ,2006-01-25

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

田矢真敏 ;

石田浩 ;

熊谷裕弘 .

中国专利 :CN112802902B ,2021-05-14

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

山口晋平 ;

田井香织 ;

平野智之 .

中国专利 :CN1832199A ,2006-09-13

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

罗军 ;

赵超 ;

钟汇才 ;

李俊峰 .

中国专利 :CN102931085A ,2013-02-13

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

新宮昌生 ;

木下敦宽 ;

土屋义规 .

中国专利 :CN101136437A ,2008-03-05

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 .

中国专利 :CN103985712A ,2014-08-13

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

山口直 ;

柏原庆一朗 ;

堤聪明 ;

奥平智仁 .

中国专利 :CN101393931A ,2009-03-25

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

内村胜大 ;

神永道台 .

中国专利 :CN105322021A ,2016-02-10

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