半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310050125.0

申请日：

2013-02-08

公开(公告)号：

CN103985712A

公开(公告)日：

2014-08-13

发明(设计)人：

朱慧珑

申请人：

申请人地址：

100083 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L29423 H01L218238 H01L2128

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

蔡纯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-13	公开	公开
2014-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586830494 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2013100501250 申请日:20130208
2017-02-08	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 .

中国专利 :CN103985756A ,2014-08-13

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

田矢真敏 ;

石田浩 ;

熊谷裕弘 .

中国专利 :CN112802902B ,2021-05-14

[3]

集成半导体器件及其制造方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103165601A ,2013-06-19

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

张青淳 .

中国专利 :CN108346577B ,2018-07-31

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨海宁 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101093832A ,2007-12-26

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

福井永贵 ;

加藤浩朗 .

中国专利 :CN102820326B ,2012-12-12

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

中冈弘明 ;

濑部绍夫 ;

山田隆顺 .

中国专利 :CN1316630C ,2004-08-25

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

林佑明 ;

杨柏峰 ;

杨世海 ;

贾汉中 ;

徐志安 .

中国专利 :CN114649348A ,2022-06-21

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

伊东丰二 ;

藤井英治 ;

梅田和男 .

中国专利 :CN100355073C ,2005-05-18

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

荒井雅利 ;

濑川瑞树 ;

薮俊树 .

中国专利 :CN100426525C ,2006-01-25

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