集成半导体器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110410241.X
申请日
2011-12-12
公开(公告)号
CN103165601A
公开(公告)日
2013-06-19
发明(设计)人
洪中山
申请人
申请人地址
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
IPC主分类号
H01L2706
IPC分类号
H01L21822 H01L2102
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人
罗银燕
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
杨海宁 ;
李伟健 .
中国专利 :CN101093832A ,2007-12-26
[2]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
朱慧珑 .
中国专利 :CN103985756A ,2014-08-13
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
朱慧珑 .
中国专利 :CN103985712A ,2014-08-13
[4]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
张青淳 .
中国专利 :CN108346577B ,2018-07-31
[5]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
安正烈 ;
李闰敬 .
中国专利 :CN102969314A ,2013-03-13
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
福井永贵 ;
加藤浩朗 .
中国专利 :CN102820326B ,2012-12-12
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
禹昌秀 ;
金海龙 ;
金润洙 ;
文瑄敏 ;
宋政奎 ;
郑圭镐 .
中国专利 :CN113764417A ,2021-12-07
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
雅各布·C·胡克 .
中国专利 :CN101558493A ,2009-10-14
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
林佑明 ;
杨柏峰 ;
杨世海 ;
贾汉中 ;
徐志安 .
中国专利 :CN114649348A ,2022-06-21
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
朴祐莹 ;
李起正 ;
池连赫 ;
李承美 .
中国专利 :CN103094344A ,2013-05-08