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集成半导体器件及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201110410241.X
申请日
:
2011-12-12
公开(公告)号
:
CN103165601A
公开(公告)日
:
2013-06-19
发明(设计)人
:
洪中山
申请人
:
申请人地址
:
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
IPC主分类号
:
H01L2706
IPC分类号
:
H01L21822
H01L2102
代理机构
:
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人
:
罗银燕
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2015-12-09
授权
授权
2013-07-24
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101494127376 IPC(主分类):H01L 27/06 专利申请号:201110410241X 申请日:20111212
2013-06-19
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法
[P].
杨海宁
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨海宁
;
李伟健
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李伟健
.
中国专利
:CN101093832A
,2007-12-26
[2]
半导体器件及其制造方法
[P].
朱慧珑
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朱慧珑
.
中国专利
:CN103985756A
,2014-08-13
[3]
半导体器件及其制造方法
[P].
朱慧珑
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朱慧珑
.
中国专利
:CN103985712A
,2014-08-13
[4]
半导体器件及其制造方法
[P].
张青淳
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张青淳
.
中国专利
:CN108346577B
,2018-07-31
[5]
半导体器件及其制造方法
[P].
安正烈
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安正烈
;
李闰敬
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李闰敬
.
中国专利
:CN102969314A
,2013-03-13
[6]
半导体器件及其制造方法
[P].
福井永贵
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福井永贵
;
加藤浩朗
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加藤浩朗
.
中国专利
:CN102820326B
,2012-12-12
[7]
半导体器件及其制造方法
[P].
禹昌秀
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禹昌秀
;
金海龙
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金海龙
;
金润洙
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金润洙
;
文瑄敏
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文瑄敏
;
宋政奎
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宋政奎
;
郑圭镐
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郑圭镐
.
中国专利
:CN113764417A
,2021-12-07
[8]
半导体器件及其制造方法
[P].
雅各布·C·胡克
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雅各布·C·胡克
.
中国专利
:CN101558493A
,2009-10-14
[9]
半导体器件及其制造方法
[P].
林佑明
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林佑明
;
杨柏峰
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杨柏峰
;
杨世海
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杨世海
;
贾汉中
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贾汉中
;
徐志安
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徐志安
.
中国专利
:CN114649348A
,2022-06-21
[10]
半导体器件及其制造方法
[P].
朴祐莹
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朴祐莹
;
李起正
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李起正
;
池连赫
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池连赫
;
李承美
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李承美
.
中国专利
:CN103094344A
,2013-05-08
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