半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210315453.4

申请日：

2012-08-30

公开(公告)号：

CN102969314A

公开(公告)日：

2013-03-13

发明(设计)人：

安正烈李闰敬

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L23522 H01L21822 H01L27105

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

石卓琼;俞波

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101714109683 IPC(主分类):H01L 27/06 专利申请号:2012103154534 申请公布日:20130313
2013-03-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

永井孝一 ;

菊池秀明 ;

佐次田直也 ;

尾崎康孝 .

中国专利 :CN101299429A ,2008-11-05

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

彦坂幸信 ;

伊藤昭男 ;

高井一章 ;

齐藤丈靖 .

中国专利 :CN1240133C ,2003-07-23

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

服卷直美 ;

加藤芳健 ;

井上显 .

中国专利 :CN100388498C ,2006-01-25

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

永井孝一 ;

菊池秀明 ;

佐次田直也 ;

尾崎康孝 .

中国专利 :CN100431155C ,2006-01-04

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

金承默 .

韩国专利 :CN113345835B ,2025-07-18

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

金承默 .

中国专利 :CN113345835A ,2021-09-03

[7]

RF半导体器件及其制造方法 [P].

金基仲 ;

金镇硕 ;

金广植 ;

金胤锡 ;

姜英植 ;

朴泰俊 .

中国专利 :CN102157514A ,2011-08-17

[8]

半导体器件及其制造工艺 [P].

东野智彦 ;

胜木信幸 ;

川胜康弘 ;

小林道弘 .

中国专利 :CN101266973B ,2008-09-17

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

崔亨福 .

中国专利 :CN100524753C ,2007-02-28

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

安正烈 ;

金占寿 .

中国专利 :CN102969313B ,2013-03-13

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