半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011000594.8

申请日：

2020-09-22

公开(公告)号：

CN113345835B

公开(公告)日：

2025-07-18

发明(设计)人：

金承默

申请人：

爱思开海力士有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H10B12/00 H01L23/538 H01L23/64

代理机构：

北京弘权知识产权代理有限公司 11363

代理人：

王建国;许伟群

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-18	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

金承默 .

中国专利 :CN113345835A ,2021-09-03

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

安正烈 ;

李闰敬 .

中国专利 :CN102969314A ,2013-03-13

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

徐准赫 ;

张明植 .

中国专利 :CN114094011A ,2022-02-25

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

禹昌秀 ;

金海龙 ;

金润洙 ;

文瑄敏 ;

宋政奎 ;

郑圭镐 .

中国专利 :CN113764417A ,2021-12-07

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴祐莹 ;

李起正 ;

池连赫 ;

李承美 .

中国专利 :CN103094344A ,2013-05-08

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

韩秋华 ;

王新鹏 ;

黄怡 .

中国专利 :CN102938378A ,2013-02-20

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

金兑京 ;

张民植 ;

金相德 .

中国专利 :CN102769017A ,2012-11-07

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

沈正明 .

中国专利 :CN103579250A ,2014-02-12

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

玄灿顺 .

中国专利 :CN102646665A ,2012-08-22

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 ;

赵超 .

中国专利 :CN103681382B ,2014-03-26

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