半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510009571.2

申请日：

2005-02-25

公开(公告)号：

CN100431155C

公开(公告)日：

2006-01-04

发明(设计)人：

永井孝一菊池秀明佐次田直也尾崎康孝

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L27105

IPC分类号：

H01L218239

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

王玉双;潘培坤

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

永井孝一 ;

菊池秀明 ;

佐次田直也 ;

尾崎康孝 .

中国专利 :CN101299429A ,2008-11-05

[2]

半导体器件及其制造工艺 [P].

东野智彦 ;

胜木信幸 ;

川胜康弘 ;

小林道弘 .

中国专利 :CN101266973B ,2008-09-17

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

安正烈 ;

李闰敬 .

中国专利 :CN102969314A ,2013-03-13

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 ;

中村亘 .

中国专利 :CN101322241A ,2008-12-10

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

彦坂幸信 ;

伊藤昭男 ;

高井一章 ;

齐藤丈靖 .

中国专利 :CN1240133C ,2003-07-23

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

服卷直美 ;

加藤芳健 ;

井上显 .

中国专利 :CN100388498C ,2006-01-25

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

置田阳一 ;

伊藤英树 ;

王文生 .

中国专利 :CN105810686A ,2016-07-27

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

置田阳一 ;

伊藤英树 ;

王文生 .

中国专利 :CN109166852A ,2019-01-08

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

前田真一 .

中国专利 :CN107863342A ,2018-03-30

[10]

半导体器件的制造方法 [P].

濑尾晓 ;

上田哲也 ;

筒江诚 .

中国专利 :CN100463176C ,2006-03-22

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-18	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/105 登记生效日:20200730 变更事项:专利权人变更前权利人:富士通半导体股份有限公司变更后权利人:富士通半导体存储方案股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县横浜市变更后权利人:日本神奈川县
2008-11-05	授权	授权
2022-02-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/105 申请日:20050225 授权公告日:20081105 终止日期:20210225
2006-01-04	公开	公开
2008-12-10	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更事项:专利权人变更前权利人:富士通株式会社变更后权利人:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京都登记生效日:20081107
2010-11-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101038405529 IPC(主分类):H01L 27/105 专利号:ZL2005100095712 变更事项:专利权人变更前:富士通微电子株式会社变更后:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本神奈川县横浜市
2010-11-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101038405530 IPC(主分类):H01L 27/105 专利号:ZL2005100095712 变更事项:专利权人变更前:富士通微电子株式会社变更后:富士通半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:日本神奈川县横浜市变更后:日本神奈川县横浜市
2006-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效