半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710706315.1

申请日：

2017-08-17

公开(公告)号：

CN107863342A

公开(公告)日：

2018-03-30

发明(设计)人：

前田真一

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L23522

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 27/06 申请公布日:20180330
2018-03-30	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

大芦敏行 ;

新川田裕树 .

中国专利 :CN1210369A ,1999-03-10

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

筱原正昭 .

中国专利 :CN107039454A ,2017-08-11

[3]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

松野光一 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN1489215A ,2004-04-14

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

筱原正昭 ;

渡部浩三 ;

大和田福夫 ;

青山卓史 .

中国专利 :CN1542974A ,2004-11-03

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

渡部浩三 ;

神永道台 ;

堀田胜彦 .

中国专利 :CN101047152A ,2007-10-03

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

渡邉桂 ;

西山幸男 .

中国专利 :CN1400659A ,2003-03-05

[7]

半导体器件的制造方法 [P].

谷口泰弘 ;

志波和佳 .

中国专利 :CN101030556B ,2007-09-05

[8]

半导体器件的制造方法 [P].

松元省二 ;

长野能久 ;

嶋田恭博 ;

井筒康文 .

中国专利 :CN1076517C ,1995-11-22

[9]

半导体器件及其制造工艺 [P].

大仁正则 .

中国专利 :CN100555583C ,2007-01-31

[10]

半导体器件及其制造工艺 [P].

东野智彦 ;

胜木信幸 ;

川胜康弘 ;

小林道弘 .

中国专利 :CN101266973B ,2008-09-17

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