半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN95103180.5

申请日：

1995-03-30

公开(公告)号：

CN1076517C

公开(公告)日：

1995-11-22

发明(设计)人：

松元省二长野能久嶋田恭博井筒康文

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L218242

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

孙敬国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1995-11-22	公开	公开
2001-10-03	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:松下电子工业株式会社变更后权利人:松下电器产业株式会社登记生效日:20010707
2007-05-30	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
2001-12-19	授权	授权
1997-06-18	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

前田真一 .

中国专利 :CN107863342A ,2018-03-30

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

藤井英治 ;

井上敦雄 ;

有田浩二 ;

那须徹 ;

松田明浩 .

中国专利 :CN1115119A ,1996-01-17

[3]

半导体器件制造方法 [P].

有田浩二 ;

松田明浩 ;

长野能久 ;

那须徹 ;

藤井英治 .

中国专利 :CN1627501A ,2005-06-15

[4]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

松野光一 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN1489215A ,2004-04-14

[5]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

斋藤友博 .

中国专利 :CN1499646A ,2004-05-26

[6]

半导体晶片、半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

中村和子 .

中国专利 :CN1160290A ,1997-09-24

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

嶋田恭博 ;

井上敦雄 ;

有田浩二 ;

那须徹 ;

长野能久 ;

松田明浩 .

中国专利 :CN1076875C ,1996-08-07

[8]

半导体器件的制造方法 [P].

谷口泰弘 ;

志波和佳 .

中国专利 :CN101030556B ,2007-09-05

[9]

半导体器件的制造方法 [P].

松元省二 ;

二河秀夫 ;

中川聪 .

中国专利 :CN1076519C ,1995-11-15

[10]

制造半导体器件的方法 [P].

长浜优 .

日本专利 :CN119403194A ,2025-02-07

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