半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN95107541.1

申请日：

1995-06-28

公开(公告)号：

CN1076875C

公开(公告)日：

1996-08-07

发明(设计)人：

嶋田恭博井上敦雄有田浩二那须徹长野能久松田明浩

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L2128 H01L27115

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

孙敬国

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-12-26	授权	授权
1996-08-07	公开	公开
1997-09-17	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2004-08-25	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-02-27	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更事项:专利权人变更前:松下电子工业株式会社变更后:松下电器产业株式会社

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

藤井英治 ;

井上敦雄 ;

有田浩二 ;

那须徹 ;

松田明浩 .

中国专利 :CN1115119A ,1996-01-17

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101253620B ,2008-08-27

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

稗田克彦 .

中国专利 :CN100420023C ,2004-05-26

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

彦坂幸信 ;

伊藤昭男 ;

高井一章 ;

齐藤丈靖 .

中国专利 :CN1240133C ,2003-07-23

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

服卷直美 ;

加藤芳健 ;

井上显 .

中国专利 :CN100388498C ,2006-01-25

[6]

半导体器件的制造方法 [P].

松元省二 ;

二河秀夫 ;

中川聪 .

中国专利 :CN1076519C ,1995-11-15

[7]

半导体器件的制造方法 [P].

长野能久 ;

藤井英治 ;

那须徹 ;

松田明浩 .

中国专利 :CN1082719C ,1997-04-23

[8]

半导体器件的制造方法 [P].

松元省二 ;

长野能久 ;

嶋田恭博 ;

井筒康文 .

中国专利 :CN1076517C ,1995-11-22

[9]

电容器及其制造方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111261774A ,2020-06-09

[10]

半导体器件制造方法 [P].

有田浩二 ;

松田明浩 ;

长野能久 ;

那须徹 ;

藤井英治 .

中国专利 :CN1627501A ,2005-06-15

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