半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02127169.0

申请日：

2002-07-30

公开(公告)号：

CN1400659A

公开(公告)日：

2003-03-05

发明(设计)人：

渡邉桂西山幸男

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L23532

IPC分类号：

H01L23522 H01L21768 H01L21316 H01L21314

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-07-13	授权	授权
2021-12-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/532 登记生效日:20211119 变更事项:专利权人变更前权利人:东芝存储器株式会社变更后权利人:日商潘杰亚股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本东京
2017-08-25	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101757779378 IPC(主分类):H01L 23/532 专利号:ZL021271690 登记生效日:20170804 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社东芝变更后权利人:东芝存储器株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京
2022-08-16	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 23/532 申请日:20020730 授权公告日:20050713
2021-12-03	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 23/532 变更事项:专利权人变更前:东芝存储器株式会社变更后:铠侠股份有限公司变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京
2003-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-03-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

大芦敏行 ;

新川田裕树 .

中国专利 :CN1210369A ,1999-03-10

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

前田真一 .

中国专利 :CN107863342A ,2018-03-30

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

八重樫利武 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN100448010C ,2006-08-16

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

筱原正昭 .

中国专利 :CN107039454A ,2017-08-11

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

松本雅弘 ;

藤泽雅彦 ;

大崎明彦 ;

石井敦司 .

中国专利 :CN102379036A ,2012-03-14

[6]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

松野光一 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN1489215A ,2004-04-14

[7]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

斋藤友博 .

中国专利 :CN1499646A ,2004-05-26

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

满生彰 .

中国专利 :CN114388473A ,2022-04-22

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

佐甲隆 ;

户田麻美 .

中国专利 :CN101132004B ,2008-02-27

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

森井胜巳 ;

大津良孝 ;

大西一真 ;

新田哲也 ;

城本龙也 ;

德光成太 .

中国专利 :CN102157431A ,2011-08-17

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