半导体器件及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200610006367.X
申请日
2006-01-17
公开(公告)号
CN100448010C
公开(公告)日
2006-08-16
发明(设计)人
八重樫利武 盐泽顺一
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L27105
IPC分类号
H01L218239
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
王以平
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
筱原正昭 .
中国专利 :CN107039454A ,2017-08-11
[2]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
松野光一 ;
盐泽顺一 .
中国专利 :CN1489215A ,2004-04-14
[3]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
斋藤友博 .
中国专利 :CN1499646A ,2004-05-26
[4]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
筱原正昭 ;
渡部浩三 ;
大和田福夫 ;
青山卓史 .
中国专利 :CN1542974A ,2004-11-03
[5]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
前川尚之 .
中国专利 :CN1805153A ,2006-07-19
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
秋元健吾 .
中国专利 :CN101577282A ,2009-11-11
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
青野英树 ;
吉田哲也 ;
小笠原诚 ;
冈本真一 .
日本专利 :CN111653622B ,2024-03-22
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
大芦敏行 ;
新川田裕树 .
中国专利 :CN1210369A ,1999-03-10
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
秋元健吾 .
中国专利 :CN101667544B ,2010-03-10
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
秋元健吾 .
中国专利 :CN101577281A ,2009-11-11