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半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200510108722.X
申请日：
2005-09-30
公开(公告)号：
CN1805153A
公开(公告)日：
2006-07-19
发明(设计)人：
前川尚之
申请人：
申请人地址：
日本东京港区
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L21336
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人：
浦柏明;刘宗杰
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2006-07-19 | 公开 | 公开 |
| 2010-01-20 | 授权 | 授权 |
| 2013-12-18 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101679651508 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL200510108722X 变更事项:专利权人 变更前权利人:冲电气工业株式会社 变更后权利人:拉碧斯半导体株式会社 变更事项:地址 变更前权利人:日本东京港区 变更后权利人:日本东京都 登记生效日:20131126 |
| 2008-03-12 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2014-01-01 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101684089281 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL200510108722X 变更事项:专利权人 变更前:拉碧斯半导体株式会社 变更后:拉碧斯半导体株式会社 变更事项:地址 变更前:日本东京都 变更后:日本神奈川县横滨市 |