半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910132530.0

申请日：

2006-11-13

公开(公告)号：

CN101577282A

公开(公告)日：

2009-11-11

发明(设计)人：

秋元健吾

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L29786 H01L2910 H01L2352 H01L21336 H05B3312 G02F11362 H04N500

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

秦晨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-11	公开	公开
2010-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-05-07	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700664611 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2009101325300 申请公布日:20091111

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 .

中国专利 :CN101667544B ,2010-03-10

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 .

中国专利 :CN101577281A ,2009-11-11

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 .

中国专利 :CN101283444B ,2008-10-08

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 .

中国专利 :CN101577256A ,2009-11-11

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 .

中国专利 :CN101577293A ,2009-11-11

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 .

中国专利 :CN101577231A ,2009-11-11

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 .

中国专利 :CN101707212A ,2010-05-12

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

筱原正昭 .

中国专利 :CN107039454A ,2017-08-11

[9]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

松野光一 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN1489215A ,2004-04-14

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

八重樫利武 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN100448010C ,2006-08-16

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