半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110397617.1

申请日：

2021-04-14

公开(公告)号：

CN112802902B

公开(公告)日：

2021-05-14

发明(设计)人：

田矢真敏石田浩熊谷裕弘

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L27088 H01L29423 H01L21336

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20210414
2021-07-16	授权	授权
2021-05-14	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 .

中国专利 :CN103985756A ,2014-08-13

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 .

中国专利 :CN103985712A ,2014-08-13

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

中冈弘明 ;

濑部绍夫 ;

山田隆顺 .

中国专利 :CN1316630C ,2004-08-25

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

荒井雅利 ;

濑川瑞树 ;

薮俊树 .

中国专利 :CN100426525C ,2006-01-25

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

山口晋平 ;

田井香织 ;

平野智之 .

中国专利 :CN1832199A ,2006-09-13

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

T·W·戴尔 ;

方隼飞 ;

J·R·霍尔特 .

中国专利 :CN101086991A ,2007-12-12

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

罗军 ;

赵超 ;

钟汇才 ;

李俊峰 .

中国专利 :CN102931085A ,2013-02-13

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

闫德海 ;

靳颖 ;

黄海英 ;

牛健 .

中国专利 :CN109786328A ,2019-05-21

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

新宮昌生 ;

木下敦宽 ;

土屋义规 .

中国专利 :CN101136437A ,2008-03-05

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

山口直 ;

柏原庆一朗 ;

堤聪明 ;

奥平智仁 .

中国专利 :CN101393931A ,2009-03-25

← 1 2 3 4 5 →