半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711106070.5

申请日：

2017-11-10

公开(公告)号：

CN109786328A

公开(公告)日：

2019-05-21

发明(设计)人：

闫德海靳颖黄海英牛健

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L27088 H01L2906

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请公布日:20190521
2019-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20171110
2019-05-21	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

张青淳 .

中国专利 :CN108346577B ,2018-07-31

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

浅野正义 ;

铃木嘉之 ;

伊藤哲也 ;

和田一 .

中国专利 :CN101326632A ,2008-12-17

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 .

中国专利 :CN103985756A ,2014-08-13

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

中冈弘明 ;

濑部绍夫 ;

山田隆顺 .

中国专利 :CN1316630C ,2004-08-25

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

李斗成 .

中国专利 :CN101459197A ,2009-06-17

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102891178A ,2013-01-23

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨海宁 ;

托马斯·W.·戴尔 .

中国专利 :CN101136403A ,2008-03-05

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

田矢真敏 ;

石田浩 ;

熊谷裕弘 .

中国专利 :CN112802902B ,2021-05-14

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

岩本敏幸 .

中国专利 :CN101587896A ,2009-11-25

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

金美英 .

中国专利 :CN101207084A ,2008-06-25

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