半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710195942.X

申请日：

2007-12-07

公开(公告)号：

CN101207084A

公开(公告)日：

2008-06-25

发明(设计)人：

金美英

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L218232

IPC分类号：

H01L2704 H01L2706 H01L27108 H01L27115

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

刘继富;蔡胜有

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-16	授权	授权
2008-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-01-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101596337877 IPC(主分类):H01L 21/8232 专利号:ZL200710195942X 申请日:20071207 授权公告日:20091216 终止日期:20131207
2008-06-25	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

浅野正义 ;

铃木嘉之 ;

伊藤哲也 ;

和田一 .

中国专利 :CN101326632A ,2008-12-17

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

李斗成 .

中国专利 :CN101459197A ,2009-06-17

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

岩本敏幸 .

中国专利 :CN101587896A ,2009-11-25

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

松尾浩司 .

中国专利 :CN1190851C ,2002-05-01

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

山川真弥 ;

馆下八州志 .

中国专利 :CN101641780B ,2010-02-03

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵冬雪 ;

杨远程 ;

杨涛 ;

孙昌志 ;

刘威 ;

夏志良 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN119999351A ,2025-05-13

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

张炳琸 .

中国专利 :CN100570892C ,2008-07-02

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN1819267A ,2006-08-16

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

天羽生淳 .

日本专利 :CN114242719B ,2025-11-04

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN102569402A ,2012-07-11

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