半导体器件制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710318784.6

申请日：

2017-05-08

公开(公告)号：

CN107068764B

公开(公告)日：

2017-08-18

发明(设计)人：

黄秋铭

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2128 H01L21336

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

智云

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-18	公开	公开
2020-02-18	授权	授权
2017-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101747178711 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2017103187846 申请日:20170508

共 50 条

[1]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

李承翰 .

中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30

[2]

半导体器件及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110931429A ,2020-03-27

[3]

半导体器件及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110931487A ,2020-03-27

[4]

半导体器件及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111211170A ,2020-05-29

[5]

半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P].

白杰 .

中国专利 :CN112885780A ,2021-06-01

[6]

一种FinTFET半导体器件及其制备方法 [P].

黄新运 .

中国专利 :CN104183487A ,2014-12-03

[7]

半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208923087U ,2019-05-31

[8]

半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN209045570U ,2019-06-28

[9]

半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208923135U ,2019-05-31

[10]

半导体器件的制备方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104282570B ,2015-01-14

← 1 2 3 4 5 →