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半导体器件及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811103370.2
申请日
:
2018-09-20
公开(公告)号
:
CN110931429A
公开(公告)日
:
2020-03-27
发明(设计)人
:
不公告发明人
申请人
:
申请人地址
:
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
:
H01L218234
IPC分类号
:
H01L2711517
代理机构
:
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
:
智云
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-04-21
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20180920
2020-03-27
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体器件及其制备方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN111211170A
,2020-05-29
[2]
半导体器件及其制备方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN110931557A
,2020-03-27
[3]
半导体器件及其制备方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN110931487A
,2020-03-27
[4]
半导体器件制备方法
[P].
黄秋铭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
黄秋铭
.
中国专利
:CN107068764B
,2017-08-18
[5]
半导体器件、半导体结构及其制备方法
[P].
白杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
白杰
.
中国专利
:CN112885780A
,2021-06-01
[6]
半导体结构、半导体器件及其制造方法
[P].
沙哈吉·B·摩尔
论文数:
0
引用数:
0
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0
沙哈吉·B·摩尔
;
李承翰
论文数:
0
引用数:
0
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0
李承翰
.
中国专利
:CN115132661A
,2022-09-30
[7]
半导体器件
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN208923087U
,2019-05-31
[8]
半导体器件
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN209045570U
,2019-06-28
[9]
半导体器件及其制造方法
[P].
朱慧珑
论文数:
0
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朱慧珑
;
尹海洲
论文数:
0
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尹海洲
;
骆志炯
论文数:
0
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骆志炯
;
梁擎擎
论文数:
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0
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0
梁擎擎
.
中国专利
:CN102117828A
,2011-07-06
[10]
半导体器件结构及其制备方法
[P].
刘恩峰
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘恩峰
.
中国专利
:CN115458603A
,2022-12-09
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