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半导体器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811393123.0
申请日：
2018-11-21
公开(公告)号：
CN111211170A
公开(公告)日：
2020-05-29
发明(设计)人：
不公告发明人
申请人：
申请人地址：
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L21336 H01L29423
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
智云
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-06-23 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20181121
2020-05-29 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110931429A ,2020-03-27
[2]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110931557A ,2020-03-27
[3]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110931487A ,2020-03-27
[4]
半导体器件制备方法 [P]. 
黄秋铭 .
中国专利 :CN107068764B ,2017-08-18
[5]
半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P]. 
白杰 .
中国专利 :CN112885780A ,2021-06-01
[6]
半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P]. 
沙哈吉·B·摩尔 ;
李承翰 .
中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30
[7]
半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN208923087U ,2019-05-31
[8]
半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN209045570U ,2019-06-28
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
朱慧珑 ;
尹海洲 ;
骆志炯 ;
梁擎擎 .
中国专利 :CN102117828A ,2011-07-06
[10]
半导体器件结构及其制备方法 [P]. 
刘恩峰 .
中国专利 :CN115458603A ,2022-12-09
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