半导体器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811102621.5
申请日
2018-09-20
公开(公告)号
CN110931557A
公开(公告)日
2020-03-27
发明(设计)人
不公告发明人
申请人
申请人地址
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L21336 H01L29423 H01L2910
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
智云
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110931487A ,2020-03-27
[2]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110931429A ,2020-03-27
[3]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN111211170A ,2020-05-29
[4]
半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN208738260U ,2019-04-12
[5]
半导体器件结构及其制备方法 [P]. 
刘恩峰 .
中国专利 :CN115458603A ,2022-12-09
[6]
半导体器件结构及其制备方法 [P]. 
刘恩峰 .
中国专利 :CN115458603B ,2025-08-19
[7]
半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P]. 
白杰 .
中国专利 :CN112885780A ,2021-06-01
[8]
半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN208923135U ,2019-05-31
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN110047908B ,2019-07-23
[10]
半导体器件制备方法 [P]. 
黄秋铭 .
中国专利 :CN107068764B ,2017-08-18