半导体器件

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201821545366.7
申请日
2018-09-20
公开(公告)号
CN208923135U
公开(公告)日
2019-05-31
发明(设计)人
不公告发明人
申请人
申请人地址
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
H01L27108
IPC分类号
H01L218242
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
智云
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN208738260U ,2019-04-12
[2]
半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN208923087U ,2019-05-31
[3]
半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN209045570U ,2019-06-28
[4]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110931487A ,2020-03-27
[5]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110931557A ,2020-03-27
[6]
半导体器件结构 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN209029381U ,2019-06-25
[7]
半导体器件制造方法、半导体器件及存储器 [P]. 
张仕然 ;
孙正庆 ;
于有权 .
中国专利 :CN114334828A ,2022-04-12
[8]
半导体器件制造方法、半导体器件及存储器 [P]. 
张仕然 ;
孙正庆 ;
于有权 .
中国专利 :CN114334828B ,2024-10-15
[9]
半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P]. 
沙哈吉·B·摩尔 ;
李承翰 .
中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30
[10]
半导体器件 [P]. 
大西贞之 .
中国专利 :CN205542791U ,2016-08-31