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半导体器件结构

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201821453972.6
申请日：
2018-09-06
公开(公告)号：
CN209029381U
公开(公告)日：
2019-06-25
发明(设计)人：
不公告发明人
申请人：
申请人地址：
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630
IPC主分类号：
H01L2711521
IPC分类号：
H01L2711526 H01L2711568 H01L2711573 H01L2128 H01L2910 H01L29423
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
佟婷婷
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-06-25 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体器件结构及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110880510A ,2020-03-13
[2]
半导体器件结构及其制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN110880510B ,2024-07-12
[3]
半导体器件结构 [P]. 
徐吉程 ;
潘群华 .
中国专利 :CN216354216U ,2022-04-19
[4]
半导体器件 [P]. 
椿茂树 .
中国专利 :CN1707809A ,2005-12-14
[5]
半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN208923135U ,2019-05-31
[6]
半导体部件、垂直MOSFET、IGBT结构和集成半导体器件 [P]. 
M.菲莱迈耶 ;
W.佩因霍普夫 .
中国专利 :CN203242627U ,2013-10-16
[7]
半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P]. 
沙哈吉·B·摩尔 ;
李承翰 .
中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30
[8]
半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P]. 
白杰 .
中国专利 :CN112885780A ,2021-06-01
[9]
半导体结构及半导体器件 [P]. 
白杰 .
中国专利 :CN210926017U ,2020-07-03
[10]
半导体器件结构 [P]. 
J·C·J·杰森斯 .
中国专利 :CN206451708U ,2017-08-29
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