半导体部件、垂直MOSFET、IGBT结构和集成半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320118299.1

申请日：

2013-03-15

公开(公告)号：

CN203242627U

公开(公告)日：

2013-10-16

发明(设计)人：

M.菲莱迈耶 W.佩因霍普夫

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2910 H01L2978 H01L29739

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

马丽娜;李浩

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20130315 授权公告日:20131016 终止日期:20200315
2013-10-16	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体部件、垂直MOSFET、IGBT结构和集成半导体器件 [P].

M.维莱迈耶 ;

O.布兰克 .

中国专利 :CN203242628U ,2013-10-16

[2]

IGBT半导体器件以及半导体器件 [P].

M·库鲁西 ;

J·瓦韦罗 .

中国专利 :CN206697484U ,2017-12-01

[3]

半导体器件结构 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN209029381U ,2019-06-25

[4]

半导体器件和半导体装置 [P].

K.霍赛尼 ;

A.毛德 .

中国专利 :CN203521403U ,2014-04-02

[5]

半导体器件和包括该半导体器件的集成装置 [P].

F.希尔勒 ;

U.瓦尔 .

中国专利 :CN203800054U ,2014-08-27

[6]

半导体集成电路和半导体器件 [P].

桧谷光春 ;

长泽俊夫 ;

田村晃洋 .

中国专利 :CN1773726A ,2006-05-17

[7]

半导体器件和半导体部件 [P].

B·帕德玛纳伯翰 ;

P·文卡特拉曼 .

中国专利 :CN206041966U ,2017-03-22

[8]

半导体结构和半导体器件 [P].

李翠 ;

金锐 ;

田宝华 ;

和峰 ;

聂瑞芬 ;

李哲洋 ;

崔翔 ;

徐琮玮 .

中国专利 :CN120302692A ,2025-07-11

[9]

半导体器件 [P].

松井孝二郎 ;

阪本雄彦 ;

梅津和之 ;

宇野友彰 .

中国专利 :CN204204847U ,2015-03-11

[10]

半导体器件 [P].

山越英明 ;

冈保志 ;

冈田大介 .

中国专利 :CN102201415A ,2011-09-28

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