半导体器件和半导体部件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620780006.X

申请日：

2016-07-22

公开(公告)号：

CN206041966U

公开(公告)日：

2017-03-22

发明(设计)人：

B·帕德玛纳伯翰 P·文卡特拉曼

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那

IPC主分类号：

H03K1908

IPC分类号：

H01L2358

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

边海梅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-22	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体部件和制造半导体器件的方法 [P].

C.冯科布林斯基 .

中国专利 :CN111009573A ,2020-04-14

[2]

半导体器件、半导体部件和制造半导体器件的方法 [P].

C.冯科布林斯基 .

:CN111009573B ,2024-10-15

[3]

单片半导体器件和半导体器件 [P].

J·W·霍尔 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN208189591U ,2018-12-04

[4]

半导体器件和半导体器件模块 [P].

坂田浩司 ;

田中智典 .

中国专利 :CN1638224A ,2005-07-13

[5]

半导体电路和半导体器件 [P].

寺岛知秀 .

中国专利 :CN1222038C ,2003-06-25

[6]

半导体单元和半导体器件 [P].

金承焕 .

中国专利 :CN102800673A ,2012-11-28

[7]

半导体器件和半导体结构 [P].

江宏礼 ;

吉拉迪·卡罗 ;

拉杜·安娜 .

中国专利 :CN120711729A ,2025-09-26

[8]

半导体器件和半导体结构 [P].

陈瑞麟 ;

王屏薇 ;

吴于贝 ;

林祐宽 .

中国专利 :CN120282442A ,2025-07-08

[9]

半导体器件和半导体衬底 [P].

杉井信之 ;

中川清和 ;

山中伸也 ;

宫尾正信 .

中国专利 :CN1210809C ,2002-05-15

[10]

半导体器件和半导体装置 [P].

K.霍赛尼 ;

A.毛德 .

中国专利 :CN203521403U ,2014-04-02

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