IGBT半导体器件以及半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201621434181.X

申请日：

2016-12-26

公开(公告)号：

CN206697484U

公开(公告)日：

2017-12-01

发明(设计)人：

M·库鲁西 J·瓦韦罗

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2906 H01L2904

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

魏小薇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-01	授权	授权

共 50 条

[1]

单片半导体器件和半导体器件 [P].

J·W·霍尔 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN207367973U ,2018-05-15

[2]

半导体器件 [P].

林育圣 ;

野间崇 ;

石部真三 .

中国专利 :CN206639796U ,2017-11-14

[3]

半导体器件 [P].

S·姆候比 ;

J·巴伊勒 .

中国专利 :CN207265059U ,2018-04-20

[4]

半导体器件 [P].

戈登·M·格里芙尼亚 ;

S·ST·日尔曼 .

中国专利 :CN208028055U ,2018-10-30

[5]

半导体IGBT器件 [P].

孙磊 ;

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN223094109U ,2025-07-11

[6]

IGBT半导体器件 [P].

王锐 .

中国专利 :CN203103307U ,2013-07-31

[7]

半导体器件及半导体器件结构 [P].

P·莫恩斯 ;

A·维拉莫 ;

P·范米尔贝克 ;

J·罗伊格-吉塔特 ;

F·伯格曼 .

中国专利 :CN203690306U ,2014-07-02

[8]

半导体器件以及电力半导体器件 [P].

尾西一明 .

中国专利 :CN102244053B ,2011-11-16

[9]

半导体器件以及半导体器件封装 [P].

朴修益 ;

成演准 ;

金珉成 ;

李容京 ;

李恩得 .

中国专利 :CN114093994A ,2022-02-25

[10]

半导体器件以及集成半导体器件 [P].

岛田学 ;

黑田真实 .

中国专利 :CN102280135A ,2011-12-14

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