半导体器件以及电力半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110066544.4

申请日：

2011-03-18

公开(公告)号：

CN102244053B

公开(公告)日：

2011-11-16

发明(设计)人：

尾西一明

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

H01L2304 H01L2331 H01L2500

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

杨谦;胡建新

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-16	公开	公开
2014-02-19	授权	授权
2012-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101180314075 IPC(主分类):H01L 23/48 专利申请号:2011100665444 申请日:20110318
2018-04-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/48 申请日:20110318 授权公告日:20140219 终止日期:20170318

共 50 条

[1]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

增田正亲 ;

富田幸治 ;

冈本任史 ;

田中康则 ;

大泽宽 ;

宫野和幸 ;

仓桥笃史 ;

铃木博道 .

中国专利 :CN105206586A ,2015-12-30

[2]

半导体器件、半导体器件模块以及半导体器件的制造方法 [P].

野本隆司 ;

米田义之 ;

中村公一 .

中国专利 :CN103390612B ,2013-11-13

[3]

半导体器件以及半导体封装 [P].

田中裕幸 ;

伊藤由人 ;

関山昭則 .

中国专利 :CN100407423C ,2006-08-16

[4]

半导体器件以及半导体器件封装 [P].

朴修益 ;

成演准 ;

金珉成 ;

李容京 ;

李恩得 .

中国专利 :CN114093994A ,2022-02-25

[5]

IGBT半导体器件以及半导体器件 [P].

M·库鲁西 ;

J·瓦韦罗 .

中国专利 :CN206697484U ,2017-12-01

[6]

半导体器件以及集成半导体器件 [P].

岛田学 ;

黑田真实 .

中国专利 :CN102280135A ,2011-12-14

[7]

半导体器件以及半导体器件封装 [P].

朴修益 ;

成演准 ;

金珉成 ;

李容京 ;

李恩得 .

中国专利 :CN114093994B ,2025-03-21

[8]

半导体器件 [P].

宫崎忠一 ;

秋山雪治 ;

柴本正训 ;

下石智明 ;

安生一郎 ;

西邦彦 ;

西村朝雄 ;

田中英树 ;

木本良辅 ;

坪崎邦宏 ;

长谷部昭男 .

中国专利 :CN1728372A ,2006-02-01

[9]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

袋武人 ;

冲原将生 .

中国专利 :CN1945843A ,2007-04-11

[10]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

增田正亲 ;

富田幸治 ;

冈本任史 ;

田中康则 ;

大泽宽 ;

宫野和幸 ;

仓桥笃史 ;

铃木博道 .

中国专利 :CN102420198A ,2012-04-18

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