半导体IGBT器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202422158930.1

申请日：

2024-09-04

公开(公告)号：

CN223094109U

公开(公告)日：

2025-07-11

发明(设计)人：

孙磊陈译陆佳顺杨洁雯

申请人：

新硅能微电子（苏州）有限公司

申请人地址：

215011 江苏省苏州市高新区青山路1号2幢306室

IPC主分类号：

H10D12/00

IPC分类号：

H10D62/10 H10D62/13

代理机构：

苏州科旭知识产权代理事务所(普通合伙) 32697

代理人：

王健

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-11	授权	授权

共 50 条

[1]

IGBT半导体器件以及半导体器件 [P].

M·库鲁西 ;

J·瓦韦罗 .

中国专利 :CN206697484U ,2017-12-01

[2]

IGBT半导体器件 [P].

王锐 .

中国专利 :CN203103307U ,2013-07-31

[3]

IGBT和半导体器件 [P].

T.古特 ;

F.D.普菲尔施 ;

M.普拉佩尔特 ;

D.韦贝尔 .

中国专利 :CN204257660U ,2015-04-08

[4]

新型沟槽IGBT半导体器件 [P].

戚丽娜 ;

张景超 ;

井亚会 ;

俞义长 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN215578580U ,2022-01-18

[5]

半导体器件及IGBT芯片 [P].

高尚 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

宋飞 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN222442144U ,2025-02-07

[6]

新型IGBT功率半导体器件 [P].

俞义长 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN214043672U ,2021-08-24

[7]

半导体部件、垂直MOSFET、IGBT结构和集成半导体器件 [P].

M.维莱迈耶 ;

O.布兰克 .

中国专利 :CN203242628U ,2013-10-16

[8]

半导体部件、垂直MOSFET、IGBT结构和集成半导体器件 [P].

M.菲莱迈耶 ;

W.佩因霍普夫 .

中国专利 :CN203242627U ,2013-10-16

[9]

一种平面型的IGBT半导体功率器件 [P].

陈利 ;

陈译 ;

陈彬 .

中国专利 :CN212750900U ,2021-03-19

[10]

功率半导体器件 [P].

顾悦吉 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

刘慧勇 .

中国专利 :CN203288595U ,2013-11-13

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