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一种平面型的IGBT半导体功率器件

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202021991031.5
申请日：
2020-09-11
公开(公告)号：
CN212750900U
公开(公告)日：
2021-03-19
发明(设计)人：
陈利 陈译 陈彬
申请人：
申请人地址：
361000 福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区港中路1736号205-1单元
IPC主分类号：
H01L29739
IPC分类号：
H01L2906 H01L2910
代理机构：
厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙) 35247
代理人：
苏娟
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-03-19 授权 授权
共 50 条
[1]
一种平面型分裂栅的IGBT半导体功率器件 [P]. 
陈利 ;
陈译 ;
陈彬 .
中国专利 :CN212810309U ,2021-03-26
[2]
一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件 [P]. 
陈利 ;
陈译 ;
陈彬 .
中国专利 :CN212874493U ,2021-04-02
[3]
一种具有超结结构的平面型分裂栅IGBT半导体功率器件 [P]. 
陈利 ;
陈译 ;
陈彬 .
中国专利 :CN213184297U ,2021-05-11
[4]
一种超结IGBT的半导体功率器件 [P]. 
陈利 ;
陈译 ;
陈彬 .
中国专利 :CN212907745U ,2021-04-06
[5]
一种具有超结结构的槽型分裂栅IGBT半导体功率器件 [P]. 
陈利 ;
陈译 ;
陈彬 .
中国专利 :CN213184294U ,2021-05-11
[6]
一种具有超结结构的槽栅型IGBT半导体功率器件 [P]. 
陈利 ;
陈译 ;
陈彬 .
中国专利 :CN213184295U ,2021-05-11
[7]
一种半导体功率器件 [P]. 
王睿 ;
毛振东 ;
袁愿林 ;
刘伟 .
中国专利 :CN109994470A ,2019-07-09
[8]
一种槽栅型超结MOS半导体功率器件 [P]. 
陈利 ;
陈译 ;
陈彬 .
中国专利 :CN212907746U ,2021-04-06
[9]
半导体功率器件的制造方法及半导体功率器件 [P]. 
龚轶 ;
毛振东 ;
刘伟 ;
袁愿林 ;
王鑫 .
中国专利 :CN112864019A ,2021-05-28
[10]
一种用于半导体功率器件的终端 [P]. 
缪志平 .
中国专利 :CN208797006U ,2019-04-26
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