一种平面型分裂栅的IGBT半导体功率器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021991524.9

申请日：

2020-09-11

公开(公告)号：

CN212810309U

公开(公告)日：

2021-03-26

发明(设计)人：

陈利陈译陈彬

申请人：

申请人地址：

361000 福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区港中路1736号205-1单元

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L29423 H01L2906 H01L2910

代理机构：

厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙) 35247

代理人：

苏娟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-26	授权	授权

共 50 条

[1]

一种平面型的IGBT半导体功率器件 [P].

陈利 ;

陈译 ;

陈彬 .

中国专利 :CN212750900U ,2021-03-19

[2]

一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件 [P].

陈利 ;

陈译 ;

陈彬 .

中国专利 :CN212874493U ,2021-04-02

[3]

一种具有超结结构的平面型分裂栅IGBT半导体功率器件 [P].

陈利 ;

陈译 ;

陈彬 .

中国专利 :CN213184297U ,2021-05-11

[4]

一种具有超结结构的槽型分裂栅IGBT半导体功率器件 [P].

陈利 ;

陈译 ;

陈彬 .

中国专利 :CN213184294U ,2021-05-11

[5]

一种具有超结结构的槽栅型IGBT半导体功率器件 [P].

陈利 ;

陈译 ;

陈彬 .

中国专利 :CN213184295U ,2021-05-11

[6]

一种具有超结结构的槽型分裂栅MOS半导体功率器件 [P].

陈利 ;

陈译 ;

陈彬 .

中国专利 :CN213184296U ,2021-05-11

[7]

一种超结IGBT的半导体功率器件 [P].

陈利 ;

陈译 ;

陈彬 .

中国专利 :CN212907745U ,2021-04-06

[8]

一种轻掺杂源极区分裂栅结构的半导体功率器件 [P].

陈利 ;

陈译 ;

陈彬 .

中国专利 :CN213071149U ,2021-04-27

[9]

一种槽栅型超结MOS半导体功率器件 [P].

陈利 ;

陈译 ;

陈彬 .

中国专利 :CN212907746U ,2021-04-06

[10]

一种分裂栅沟槽功率半导体器件 [P].

苏元宏 ;

王亚飞 ;

王彦刚 ;

戴小平 ;

覃荣震 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN112786695B ,2021-05-11

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