一种分裂栅沟槽功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911089118.5

申请日：

2019-11-08

公开(公告)号：

CN112786695B

公开(公告)日：

2021-05-11

发明(设计)人：

苏元宏王亚飞王彦刚戴小平覃荣震罗海辉

申请人：

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L29423 H01L2906

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

吴大建;张杰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-03	授权	授权
2021-05-11	公开	公开
2021-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20191108

共 50 条

[1]

沟槽功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

周锦程 .

中国专利 :CN213150783U ,2021-05-07

[2]

一种沟槽栅IGBT半导体器件及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110797405A ,2020-02-14

[3]

沟槽栅功率半导体器件及其制作方法 [P].

罗海辉 ;

姚尧 ;

肖强 ;

肖海波 ;

覃荣震 ;

谭灿健 .

中国专利 :CN113066861A ,2021-07-02

[4]

一种沟槽栅超结功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

杨卓 .

中国专利 :CN216597595U ,2022-05-24

[5]

包含沟槽栅的半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

吴栋华 ;

石新欢 .

中国专利 :CN113903794A ,2022-01-07

[6]

高压沟槽型功率半导体器件及制备方法 [P].

杨飞 ;

白玉明 ;

吴凯 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN110429129A ,2019-11-08

[7]

一种沟槽功率半导体器件 [P].

沈良金 .

中国专利 :CN218274575U ,2023-01-10

[8]

沟槽栅半导体器件的制造方法 [P].

汪莹萍 ;

缪进征 .

中国专利 :CN104465349B ,2015-03-25

[9]

沟槽栅半导体器件及其制造方法 [P].

杨继业 ;

赵龙杰 ;

李昊 .

中国专利 :CN110739347A ,2020-01-31

[10]

一种新型功率半导体器件 [P].

何敏 ;

谢刚 ;

王柳敏 ;

王珏 .

中国专利 :CN103887332A ,2014-06-25

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