一种沟槽栅超结功率半导体器件

被引：0

申请号：

CN202123268709.4

申请日：

2021-12-23

公开(公告)号：

CN216597595U

公开(公告)日：

2022-05-24

发明(设计)人：

朱袁正叶鹏周锦程杨卓

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区电腾路6号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978 H01L29423

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良;陈丽丽

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-24	授权	授权

共 50 条

[1]

一种超结功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

李宗清 .

中国专利 :CN210156383U ,2020-03-17

[2]

一种超结构功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

杨卓 .

中国专利 :CN216698375U ,2022-06-07

[3]

沟槽功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

周锦程 .

中国专利 :CN213150783U ,2021-05-07

[4]

超结SGT MOS功率半导体器件结构 [P].

廖巍 ;

张海涛 .

中国专利 :CN213184293U ,2021-05-11

[5]

屏蔽栅功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

杨卓 ;

刘晶晶 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN212033029U ,2020-11-27

[6]

平面栅超结功率器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

李宗清 .

中国专利 :CN216793693U ,2022-06-21

[7]

沟槽栅功率半导体器件及其制作方法 [P].

罗海辉 ;

姚尧 ;

肖强 ;

肖海波 ;

覃荣震 ;

谭灿健 .

中国专利 :CN113066861A ,2021-07-02

[8]

屏蔽栅功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

杨卓 ;

刘晶晶 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN111584622A ,2020-08-25

[9]

屏蔽栅功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

杨卓 ;

刘晶晶 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN111584622B ,2024-09-06

[10]

一种分裂栅沟槽功率半导体器件 [P].

苏元宏 ;

王亚飞 ;

王彦刚 ;

戴小平 ;

覃荣震 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN112786695B ,2021-05-11

← 1 2 3 4 5 →