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超结SGT MOS功率半导体器件结构
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202022677174.5
申请日：
2020-11-19
公开(公告)号：
CN213184293U
公开(公告)日：
2021-05-11
发明(设计)人：
廖巍
张海涛
申请人：
申请人地址：
214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋四层
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L2978
代理机构：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104
代理人：
曹祖良;涂三民
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-05-11 | 授权 | 授权 |