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功率MOS半导体器件

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201721812679.X
申请日：
2017-12-22
公开(公告)号：
CN208111442U
公开(公告)日：
2018-11-16
发明(设计)人：
黄彦智 陆佳顺 杨洁雯
申请人：
申请人地址：
215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室
IPC主分类号：
H01L27088
IPC分类号：
H01L2906
代理机构：
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人：
马明渡;王健
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2018-11-16 授权 授权
共 50 条
[1]
垂直功率MOS半导体器件 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213583801U ,2021-06-29
[2]
MOS型功率半导体器件 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213988891U ,2021-08-17
[3]
MOS功率半导体器件 [P]. 
黄彦智 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN208385415U ,2019-01-15
[4]
深沟槽功率MOS半导体器件 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213583800U ,2021-06-29
[5]
沟槽式功率MOS半导体器件 [P]. 
陈译 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN213366602U ,2021-06-04
[6]
功率MOS半导体器件 [P]. 
张开航 ;
马云洋 .
中国专利 :CN212517177U ,2021-02-09
[7]
深沟槽功率MOS器件 [P]. 
黄彦智 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN208045510U ,2018-11-02
[8]
高可靠性沟槽型半导体MOS器件 [P]. 
黄彦智 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN208045511U ,2018-11-02
[9]
功率半导体器件 [P]. 
高秀秀 ;
柯攀 ;
戴小平 .
中国专利 :CN216250740U ,2022-04-08
[10]
超结SGT MOS功率半导体器件结构 [P]. 
廖巍 ;
张海涛 .
中国专利 :CN213184293U ,2021-05-11
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