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深沟槽功率MOS半导体器件
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202022576642.X
申请日：
2020-11-09
公开(公告)号：
CN213583800U
公开(公告)日：
2021-06-29
发明(设计)人：
黄彦智
俞仲威
申请人：
申请人地址：
518000 广东省深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2007号创新广场B1404
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L21762
H01L2978
H01L27088
代理机构：
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人：
王健
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-06-29 | 授权 | 授权 |