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高可靠性深沟槽功率MOS器件
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201821077743.9
申请日：
2018-07-09
公开(公告)号：
CN208835068U
公开(公告)日：
2019-05-07
发明(设计)人：
黄彦智
陆佳顺
杨洁雯
申请人：
申请人地址：
215126 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2906
代理机构：
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人：
马明渡;王健
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-05-07 | 授权 | 授权 |