超高元胞密度深沟槽功率MOS器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120507690.1

申请日：

2011-12-08

公开(公告)号：

CN202384343U

公开(公告)日：

2012-08-15

发明(设计)人：

朱袁正秦旭光丁磊

申请人：

申请人地址：

214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号无锡（滨湖）国家传感信息中心启航大厦8楼

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L29417

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所 32104

代理人：

曹祖良

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101596313463 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2011205076901 申请日:20111208 授权公告日:20120815 终止日期:20131208
2013-04-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101559594710 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2011205076901 变更事项:专利权人变更前权利人:无锡新洁能功率半导体有限公司变更后权利人:无锡新洁能股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号无锡(滨湖)国家传感信息中心启航大厦8楼变更后权利人:214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号(与华清路交叉口)无锡(滨湖)国家信息传感中心-B1号楼东侧第2层登记生效日:20130312
2012-08-15	授权	授权

共 50 条

[1]

超高元胞密度深沟槽功率MOS器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

秦旭光 ;

丁磊 .

中国专利 :CN102420252B ,2012-04-18

[2]

具有超高元胞密度的深沟槽功率MOS器件 [P].

朱袁正 ;

冷德武 .

中国专利 :CN204375758U ,2015-06-03

[3]

具有超高元胞密度的深沟槽功率MOS器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

冷德武 .

中国专利 :CN104576743A ,2015-04-29

[4]

深沟槽功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208045510U ,2018-11-02

[5]

低漏电流深沟槽功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208045509U ,2018-11-02

[6]

深沟槽功率MOS半导体器件 [P].

黄彦智 ;

俞仲威 .

中国专利 :CN213583800U ,2021-06-29

[7]

高可靠性深沟槽功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208835068U ,2019-05-07

[8]

高密度低压沟槽功率MOS器件 [P].

周祥瑞 ;

冷德武 ;

王毅 .

中国专利 :CN206250199U ,2017-06-13

[9]

高可靠性深沟槽功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN109103257A ,2018-12-28

[10]

沟槽功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN207624702U ,2018-07-17

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