超高元胞密度深沟槽功率MOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110405658.7

申请日：

2011-12-08

公开(公告)号：

CN102420252B

公开(公告)日：

2012-04-18

发明(设计)人：

朱袁正秦旭光丁磊

申请人：

申请人地址：

214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号(与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1号楼东侧第2层

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336 H01L2128

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所 32104

代理人：

曹祖良

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101256117875 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011104056587 申请日:20111208
2013-06-05	授权	授权
2012-04-18	公开	公开
2013-04-03	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101558797642 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011104056587 变更事项:申请人变更前权利人:无锡新洁能功率半导体有限公司变更后权利人:无锡新洁能股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号无锡(滨湖)国家传感信息中心启航大厦8楼变更后权利人:214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号(与华清路交叉口)无锡(滨湖)国家信息传感中心-B1号楼东侧第2层登记生效日:20130311

共 50 条

[1]

超高元胞密度深沟槽功率MOS器件 [P].

朱袁正 ;

秦旭光 ;

丁磊 .

中国专利 :CN202384343U ,2012-08-15

[2]

具有超高元胞密度的深沟槽功率MOS器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

冷德武 .

中国专利 :CN104576743A ,2015-04-29

[3]

具有超高元胞密度的深沟槽功率MOS器件 [P].

朱袁正 ;

冷德武 .

中国专利 :CN204375758U ,2015-06-03

[4]

深沟槽功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208045510U ,2018-11-02

[5]

深沟槽功率MOS器件及其制造方法 [P].

黄晓橹 ;

王代利 ;

刘伯昌 ;

陈逸清 .

中国专利 :CN103151310B ,2013-06-12

[6]

深沟槽功率器件及其制造方法 [P].

杨东林 ;

陈文高 ;

刘侠 .

中国专利 :CN109494255A ,2019-03-19

[7]

深沟槽功率器件及其制备方法 [P].

陈茜 .

中国专利 :CN112133750B ,2024-02-13

[8]

深沟槽功率器件及其制备方法 [P].

陈茜 .

中国专利 :CN112133750A ,2020-12-25

[9]

低漏电流深沟槽功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208045509U ,2018-11-02

[10]

高密度低压沟槽功率MOS器件及其制造方法 [P].

周祥瑞 ;

冷德武 ;

王毅 .

中国专利 :CN106653831A ,2017-05-10

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