深沟槽功率器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910555460.3
申请日
2019-06-25
公开(公告)号
CN112133750A
公开(公告)日
2020-12-25
发明(设计)人
陈茜
申请人
申请人地址
401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L29423 H01L2906 H01L21336
代理机构
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人
施婷婷
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
深沟槽功率器件及其制备方法 [P]. 
陈茜 .
中国专利 :CN112133750B ,2024-02-13
[2]
深沟槽功率器件及其制造方法 [P]. 
杨东林 ;
陈文高 ;
刘侠 .
中国专利 :CN109494255A ,2019-03-19
[3]
一种沟槽栅功率器件及其制备方法 [P]. 
周源 ;
方宇 ;
王超 ;
朱林迪 ;
常东旭 ;
梁维佳 .
中国专利 :CN112838007B ,2021-05-25
[4]
超高元胞密度深沟槽功率MOS器件及其制造方法 [P]. 
朱袁正 ;
秦旭光 ;
丁磊 .
中国专利 :CN102420252B ,2012-04-18
[5]
超高元胞密度深沟槽功率MOS器件 [P]. 
朱袁正 ;
秦旭光 ;
丁磊 .
中国专利 :CN202384343U ,2012-08-15
[6]
沟槽型半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
金锐 ;
杨晓鸾 ;
许生根 ;
姜梅 ;
董少华 ;
崔磊 .
中国专利 :CN107634095A ,2018-01-26
[7]
沟槽功率器件及其制作方法 [P]. 
刘宪周 .
中国专利 :CN103871840A ,2014-06-18
[8]
沟槽功率器件结构及其制造方法 [P]. 
孙效中 .
中国专利 :CN105609554A ,2016-05-25
[9]
沟槽功率器件及其制作方法 [P]. 
刘宪周 .
中国专利 :CN103839780A ,2014-06-04
[10]
深沟槽功率MOS器件 [P]. 
黄彦智 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN208045510U ,2018-11-02