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深沟槽功率器件及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910555460.3
申请日
:
2019-06-25
公开(公告)号
:
CN112133750A
公开(公告)日
:
2020-12-25
发明(设计)人
:
陈茜
申请人
:
申请人地址
:
401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼
IPC主分类号
:
H01L2978
IPC分类号
:
H01L29423
H01L2906
H01L21336
代理机构
:
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人
:
施婷婷
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-12-25
公开
公开
2021-01-12
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20190625
共 50 条
[1]
深沟槽功率器件及其制备方法
[P].
陈茜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华润微电子(重庆)有限公司
华润微电子(重庆)有限公司
陈茜
.
中国专利
:CN112133750B
,2024-02-13
[2]
深沟槽功率器件及其制造方法
[P].
杨东林
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨东林
;
陈文高
论文数:
0
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0
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0
陈文高
;
刘侠
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘侠
.
中国专利
:CN109494255A
,2019-03-19
[3]
一种沟槽栅功率器件及其制备方法
[P].
周源
论文数:
0
引用数:
0
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0
周源
;
方宇
论文数:
0
引用数:
0
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0
方宇
;
王超
论文数:
0
引用数:
0
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0
王超
;
朱林迪
论文数:
0
引用数:
0
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0
朱林迪
;
常东旭
论文数:
0
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0
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0
常东旭
;
梁维佳
论文数:
0
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0
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0
梁维佳
.
中国专利
:CN112838007B
,2021-05-25
[4]
超高元胞密度深沟槽功率MOS器件及其制造方法
[P].
朱袁正
论文数:
0
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0
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0
朱袁正
;
秦旭光
论文数:
0
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秦旭光
;
丁磊
论文数:
0
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0
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0
丁磊
.
中国专利
:CN102420252B
,2012-04-18
[5]
超高元胞密度深沟槽功率MOS器件
[P].
朱袁正
论文数:
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0
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朱袁正
;
秦旭光
论文数:
0
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秦旭光
;
丁磊
论文数:
0
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0
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0
丁磊
.
中国专利
:CN202384343U
,2012-08-15
[6]
沟槽型半导体功率器件及其制备方法
[P].
金锐
论文数:
0
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金锐
;
杨晓鸾
论文数:
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杨晓鸾
;
许生根
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许生根
;
姜梅
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姜梅
;
董少华
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董少华
;
崔磊
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0
崔磊
.
中国专利
:CN107634095A
,2018-01-26
[7]
沟槽功率器件及其制作方法
[P].
刘宪周
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘宪周
.
中国专利
:CN103871840A
,2014-06-18
[8]
沟槽功率器件结构及其制造方法
[P].
孙效中
论文数:
0
引用数:
0
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0
孙效中
.
中国专利
:CN105609554A
,2016-05-25
[9]
沟槽功率器件及其制作方法
[P].
刘宪周
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘宪周
.
中国专利
:CN103839780A
,2014-06-04
[10]
深沟槽功率MOS器件
[P].
黄彦智
论文数:
0
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黄彦智
;
陆佳顺
论文数:
0
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陆佳顺
;
杨洁雯
论文数:
0
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0
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杨洁雯
.
中国专利
:CN208045510U
,2018-11-02
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