学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

深沟槽功率MOS器件

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201721813755.9
申请日：
2017-12-22
公开(公告)号：
CN208045510U
公开(公告)日：
2018-11-02
发明(设计)人：
黄彦智 陆佳顺 杨洁雯
申请人：
申请人地址：
215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2906 H01L29423
代理机构：
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人：
马明渡;王健
法律状态：
授权
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2018-11-02 授权 授权
共 50 条
[1]
低漏电流深沟槽功率MOS器件 [P]. 
黄彦智 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN208045509U ,2018-11-02
[2]
高可靠性深沟槽功率MOS器件 [P]. 
黄彦智 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN208835068U ,2019-05-07
[3]
低漏电流深沟槽功率MOS器件 [P]. 
黄彦智 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN208045505U ,2018-11-02
[4]
高可靠性深沟槽功率MOS器件 [P]. 
黄彦智 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN109103257A ,2018-12-28
[5]
超高元胞密度深沟槽功率MOS器件 [P]. 
朱袁正 ;
秦旭光 ;
丁磊 .
中国专利 :CN202384343U ,2012-08-15
[6]
深沟槽功率MOS半导体器件 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213583800U ,2021-06-29
[7]
具有超高元胞密度的深沟槽功率MOS器件 [P]. 
朱袁正 ;
冷德武 .
中国专利 :CN204375758U ,2015-06-03
[8]
沟槽功率MOS器件 [P]. 
黄彦智 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN207624702U ,2018-07-17
[9]
一种深沟槽功率MOS器件 [P]. 
朱袁正 ;
冷德武 ;
叶鹏 ;
丁磊 .
中国专利 :CN201611658U ,2010-10-20
[10]
超高元胞密度深沟槽功率MOS器件及其制造方法 [P]. 
朱袁正 ;
秦旭光 ;
丁磊 .
中国专利 :CN102420252B ,2012-04-18
12345