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沟槽式功率MOS半导体器件

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202022576088.5
申请日：
2020-11-09
公开(公告)号：
CN213546321U
公开(公告)日：
2021-06-25
发明(设计)人：
黄彦智 俞仲威
申请人：
申请人地址：
518000 广东省深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2007号创新广场B1404
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L29423 H01L2978
代理机构：
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人：
王健
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-06-25 授权 授权
共 50 条
[1]
沟槽式功率MOS半导体器件 [P]. 
陈译 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN213366602U ,2021-06-04
[2]
深沟槽功率MOS半导体器件 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213583800U ,2021-06-29
[3]
沟槽式功率MOS半导体器件 [P]. 
吴岩 ;
茅寅松 .
中国专利 :CN220474612U ,2024-02-09
[4]
垂直功率MOS半导体器件 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213583801U ,2021-06-29
[5]
沟槽功率半导体器件 [P]. 
朱袁正 ;
周锦程 .
中国专利 :CN213150783U ,2021-05-07
[6]
MOS型功率半导体器件 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213988891U ,2021-08-17
[7]
一种沟槽式高功率MOS半导体器件 [P]. 
陈智 .
中国专利 :CN215955258U ,2022-03-04
[8]
MOS功率半导体器件 [P]. 
黄彦智 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN208385415U ,2019-01-15
[9]
功率MOS半导体器件 [P]. 
张开航 ;
马云洋 .
中国专利 :CN212517177U ,2021-02-09
[10]
沟槽功率半导体器件 [P]. 
朱袁正 ;
廖周林 ;
周锦程 ;
王根毅 ;
周永珍 .
中国专利 :CN213905364U ,2021-08-06
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