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垂直功率MOS半导体器件

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202022576645.3
申请日：
2020-11-09
公开(公告)号：
CN213583801U
公开(公告)日：
2021-06-29
发明(设计)人：
黄彦智 俞仲威
申请人：
申请人地址：
518000 广东省深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2007号创新广场B1404
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L2978 H01L27088 H01L21762
代理机构：
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人：
王健
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-06-29 授权 授权
共 50 条
[1]
深沟槽功率MOS半导体器件 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213583800U ,2021-06-29
[2]
MOS型功率半导体器件 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213988891U ,2021-08-17
[3]
垂直功率MOS半导体器件 [P]. 
陈译 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN212342637U ,2021-01-12
[4]
沟槽式功率MOS半导体器件 [P]. 
陈译 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN213366602U ,2021-06-04
[5]
功率MOS半导体器件 [P]. 
黄彦智 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN208111442U ,2018-11-16
[6]
沟槽式功率MOS半导体器件 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213546321U ,2021-06-25
[7]
MOS功率半导体器件 [P]. 
黄彦智 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN208385415U ,2019-01-15
[8]
功率MOS半导体器件 [P]. 
张开航 ;
马云洋 .
中国专利 :CN212517177U ,2021-02-09
[9]
垂直功率MOSFET半导体器件 [P]. 
陈译 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN212725320U ,2021-03-16
[10]
一种垂直功率MOS半导体器件 [P]. 
何海洋 ;
胡健峰 ;
彭强 ;
梁金 .
中国专利 :CN214315997U ,2021-09-28
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