一种垂直功率MOS半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202120506903.2

申请日：

2021-03-10

公开(公告)号：

CN214315997U

公开(公告)日：

2021-09-28

发明(设计)人：

何海洋胡健峰彭强梁金

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座D座562室

IPC主分类号：

H05K714

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

南京北辰联和知识产权代理有限公司 32350

代理人：

王俊

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-28	授权	授权

共 50 条

[1]

垂直功率MOS半导体器件 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN212342637U ,2021-01-12

[2]

垂直功率MOS半导体器件 [P].

黄彦智 ;

俞仲威 .

中国专利 :CN213583801U ,2021-06-29

[3]

一种垂直功率MOS半导体器件 [P].

刘志强 ;

龙立 ;

王来营 ;

邹春平 ;

刘盛想 .

中国专利 :CN216120275U ,2022-03-22

[4]

功率MOS半导体器件 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517177U ,2021-02-09

[5]

功率MOS半导体器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208111442U ,2018-11-16

[6]

MOS功率半导体器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208385415U ,2019-01-15

[7]

垂直结构MOS半导体器件 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN213366604U ,2021-06-04

[8]

沟槽式功率MOS半导体器件 [P].

吴岩 ;

茅寅松 .

中国专利 :CN220474612U ,2024-02-09

[9]

沟槽式功率MOS半导体器件 [P].

黄彦智 ;

俞仲威 .

中国专利 :CN213546321U ,2021-06-25

[10]

深沟槽功率MOS半导体器件 [P].

黄彦智 ;

俞仲威 .

中国专利 :CN213583800U ,2021-06-29

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