垂直结构MOS半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202022824492.X

申请日：

2020-11-30

公开(公告)号：

CN213366604U

公开(公告)日：

2021-06-04

发明(设计)人：

陈译陆佳顺杨洁雯

申请人：

申请人地址：

215011 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2908 H01L29423

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

马明渡;王健

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-04	授权	授权

共 50 条

[1]

垂直功率MOS半导体器件 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN212342637U ,2021-01-12

[2]

垂直功率MOS半导体器件 [P].

黄彦智 ;

俞仲威 .

中国专利 :CN213583801U ,2021-06-29

[3]

垂直功率MOSFET半导体器件 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN212725320U ,2021-03-16

[4]

沟槽式功率MOS半导体器件 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN213366602U ,2021-06-04

[5]

垂直结构半导体器件 [P].

刘明哲 .

中国专利 :CN101901858B ,2010-12-01

[6]

垂直结构半导体器件 [P].

刘明哲 .

中国专利 :CN101366121B ,2009-02-11

[7]

一种垂直功率MOS半导体器件 [P].

何海洋 ;

胡健峰 ;

彭强 ;

梁金 .

中国专利 :CN214315997U ,2021-09-28

[8]

一种垂直功率MOS半导体器件 [P].

刘志强 ;

龙立 ;

王来营 ;

邹春平 ;

刘盛想 .

中国专利 :CN216120275U ,2022-03-22

[9]

功率MOS半导体器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208111442U ,2018-11-16

[10]

MOS功率半导体器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208385415U ,2019-01-15

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